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MT47H64M16NF-25E XIT:M

Mfr# MT47H64M16NF-25E XIT:M
Mfr. Micron Technology
Descrizione IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA
Stato RoHS Senza piombo / RoHS conforme
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Specifiche

Descrizione

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Modello di prodotti MT47H64M16NF-25E XIT:M
fabbricante Micron Technology
Descrizione IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5237 pcs
Specifiche
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 15ns
Tensione di alimentazione - 1.7 V ~ 1.9 V
Tecnologia SDRAM - DDR2
Contenitore dispositivo fornitore 84-FBGA (8x12.5)
Serie -
imballaggio Bulk
Contenitore / involucro 84-TFBGA
Altri nomi MT47H64M16NF-25E XIT:M-ND
MT47H64M16NF-25EXIT:M
temperatura di esercizio -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo di memoria Volatile
Dimensione della memoria 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria DRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 400MHz 400ps 84-FBGA (8x12.5)
Frequenza dell'orologio 400MHz
Numero di parte base MT47H64M16
Tempo di accesso 400ps

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