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F-RAM Rad-Hard di Infineon per applicazioni spaziali
Infineon Technologies AG si concentra su applicazioni basate su spazio, con i suoi prodotti utilizzati in satelliti, strumenti Mars rover e telescopi spaziali, che richiedono tutti elevati affidabilità in condizioni avverse.La società ha annunciato la disponibilità dei primi dispositivi di memoria Ferroelectric-RAM (F-RAM) di interfaccia parallela da 1 e 2 MB di ram (F-RAM).
La società afferma che il portafoglio di memoria offre affidabilità e resistenza, con un massimo di 120 anni di conservazione dei dati a 85 gradi Celsius, accesso casuale e scrittura di memoria completa a velocità del bus.I dispositivi F-RAM sono intrinsecamente radicati, rendendoli adatti ai requisiti di missione delle applicazioni basate su spazio che storicamente hanno utilizzato dispositivi di archiviazione EEPROM non volatili più lenti.Le caratteristiche rispetto alle alternative includono una memoria più rapida Accesso casuale, una migliore sicurezza dei dati con tecnologia di scrittura non volatile istantanea, bassa potenza, con tensione di programmazione fino a 2 V e una corrente operativa massima di 20 Ma.
I dispositivi F-RAM induriti dalle radiazioni sono progettati per varie applicazioni, tra cui l'archiviazione dei dati per sensori e strumenti, registrazione dei dati di calibrazione, memoria dei tasti protetti per la crittografia e archiviazione del codice di avvio.Questi dispositivi sono adatti per ambienti impegnativi come spazio esterno, avionica e applicazioni militari, che operano attraverso un ampio intervallo di temperatura da -55 ° C a 125 ° C.I nuovi modelli F-RAM dell'interfaccia parallela di Infineon offrono capacità di memoria non volatili superiori a causa della loro unica composizione chimica, che utilizza un interruttore a stato atomico istantaneo piuttosto che il metodo di carica intrappolato presente nelle tecnologie EEPROM.Questo design garantisce l'immunità a errori morbidi, campi magnetici ed effetti di radiazioni.Inoltre, questi dispositivi non richiedono software per gestire i limiti di pagina e supportare una resistenza quasi illimitata (10^13 cicli di scrittura), eliminando la necessità di livellamento di usura.
“Poiché più applicazioni spaziali sono archiviate per elaborare i dati sul sistema e non a terra tramite telemetria, vi è una crescente domanda di memoria ad alta affidabilità e non volatile per lavorare in tandem con processori di livello spaziale e FPGA per il logging dei datiApplicazioni ", ha affermato Helmut Puchner, vicepresidente, compagno aerospaziale e difesa, Infineon Technologies.
La società afferma che il portafoglio di memoria offre affidabilità e resistenza, con un massimo di 120 anni di conservazione dei dati a 85 gradi Celsius, accesso casuale e scrittura di memoria completa a velocità del bus.I dispositivi F-RAM sono intrinsecamente radicati, rendendoli adatti ai requisiti di missione delle applicazioni basate su spazio che storicamente hanno utilizzato dispositivi di archiviazione EEPROM non volatili più lenti.Le caratteristiche rispetto alle alternative includono una memoria più rapida Accesso casuale, una migliore sicurezza dei dati con tecnologia di scrittura non volatile istantanea, bassa potenza, con tensione di programmazione fino a 2 V e una corrente operativa massima di 20 Ma.
I dispositivi F-RAM induriti dalle radiazioni sono progettati per varie applicazioni, tra cui l'archiviazione dei dati per sensori e strumenti, registrazione dei dati di calibrazione, memoria dei tasti protetti per la crittografia e archiviazione del codice di avvio.Questi dispositivi sono adatti per ambienti impegnativi come spazio esterno, avionica e applicazioni militari, che operano attraverso un ampio intervallo di temperatura da -55 ° C a 125 ° C.I nuovi modelli F-RAM dell'interfaccia parallela di Infineon offrono capacità di memoria non volatili superiori a causa della loro unica composizione chimica, che utilizza un interruttore a stato atomico istantaneo piuttosto che il metodo di carica intrappolato presente nelle tecnologie EEPROM.Questo design garantisce l'immunità a errori morbidi, campi magnetici ed effetti di radiazioni.Inoltre, questi dispositivi non richiedono software per gestire i limiti di pagina e supportare una resistenza quasi illimitata (10^13 cicli di scrittura), eliminando la necessità di livellamento di usura.
“Poiché più applicazioni spaziali sono archiviate per elaborare i dati sul sistema e non a terra tramite telemetria, vi è una crescente domanda di memoria ad alta affidabilità e non volatile per lavorare in tandem con processori di livello spaziale e FPGA per il logging dei datiApplicazioni ", ha affermato Helmut Puchner, vicepresidente, compagno aerospaziale e difesa, Infineon Technologies.